SQ4282EY-T1_GE3 Datenblatt
SQ4282EY-T1_GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 185,62 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SQ4282EY-T1_GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2367pF @ 15V Leistung - max 3.9W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
