Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SQJ148EP-T1_GE3 Datenblatt

SQJ148EP-T1_GE3 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 190,34 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SQJ148EP-T1_GE3
SQJ148EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 1
SQJ148EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 2
SQJ148EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 3
SQJ148EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 4
SQJ148EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 5
SQJ148EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 6
SQJ148EP-T1_GE3 Datenblatt Seite 7
SQJ148EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8