Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STB36NM60N Datenblatt

STB36NM60N Datenblatt
Total Pages: 15
Größe: 1.040,43 KB
STMicroelectronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: STB36NM60N
STB36NM60N Datenblatt Seite 1
STB36NM60N Datenblatt Seite 2
STB36NM60N Datenblatt Seite 3
STB36NM60N Datenblatt Seite 4
STB36NM60N Datenblatt Seite 5
STB36NM60N Datenblatt Seite 6
STB36NM60N Datenblatt Seite 7
STB36NM60N Datenblatt Seite 8
STB36NM60N Datenblatt Seite 9
STB36NM60N Datenblatt Seite 10
STB36NM60N Datenblatt Seite 11
STB36NM60N Datenblatt Seite 12
STB36NM60N Datenblatt Seite 13
STB36NM60N Datenblatt Seite 14
STB36NM60N Datenblatt Seite 15
STB36NM60N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

29A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2722pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

210W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB