Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STF26N60DM6 Datenblatt

STF26N60DM6 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 469,33 KB
STMicroelectronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: STF26N60DM6
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 1
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 2
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 3
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 4
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 5
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 6
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 7
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 8
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 9
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 10
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 11
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 12
STF26N60DM6 Datenblatt Seite 13
STF26N60DM6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ DM6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.75V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

940pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

30W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack