Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STGW10M65DF2 Datenblatt

STGW10M65DF2 Datenblatt
Total Pages: 16
Größe: 936,2 KB
STMicroelectronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: STGW10M65DF2
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 1
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 2
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 3
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 4
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 5
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 6
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 7
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 8
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 9
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 10
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 11
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 12
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 13
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 14
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 15
STGW10M65DF2 Datenblatt Seite 16
STGW10M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

120µJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/91ns

Testbedingung

400V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

96ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247