STL38N65M5 Datenblatt
STL38N65M5 Datenblatt
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STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
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STL38N65M5
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ V FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A (Ta), 22.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 150W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (8x8) HV Paket / Fall 8-PowerVDFN |
