Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STP35N60DM2 Datenblatt

STP35N60DM2 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 603,47 KB
STMicroelectronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: STP35N60DM2
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 1
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 2
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 3
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 4
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 5
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 6
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 7
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 8
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 9
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 10
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 11
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 12
STP35N60DM2 Datenblatt Seite 13
STP35N60DM2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ DM2

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

210W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3