Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STP7LN80K5 Datenblatt

STP7LN80K5 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 714 KB
STMicroelectronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: STP7LN80K5
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 1
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 2
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 3
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 4
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 5
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 6
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 7
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 8
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 9
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 10
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 11
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 12
STP7LN80K5 Datenblatt Seite 13
STP7LN80K5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.15Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

85W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3