Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STS10P4LLF6 Datenblatt

STS10P4LLF6 Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 734,27 KB
STMicroelectronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: STS10P4LLF6
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 1
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 2
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 3
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 4
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 5
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 6
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 7
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 8
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 9
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 10
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 11
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 12
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 13
STS10P4LLF6 Datenblatt Seite 14
STS10P4LLF6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ F6

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3525pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.7W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)