Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STS4NF100 Datenblatt

STS4NF100 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 449,51 KB
STMicroelectronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: STS4NF100
STS4NF100 Datenblatt Seite 1
STS4NF100 Datenblatt Seite 2
STS4NF100 Datenblatt Seite 3
STS4NF100 Datenblatt Seite 4
STS4NF100 Datenblatt Seite 5
STS4NF100 Datenblatt Seite 6
STS4NF100 Datenblatt Seite 7
STS4NF100 Datenblatt Seite 8
STS4NF100 Datenblatt Seite 9
STS4NF100 Datenblatt Seite 10
STS4NF100 Datenblatt Seite 11
STS4NF100 Datenblatt Seite 12
STS4NF100 Datenblatt Seite 13
STS4NF100

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)