STY30NK90Z Datenblatt
STY30NK90Z Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 255,31 KB
STMicroelectronics
Website: https://www.st.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
STY30NK90Z
|
Hersteller STMicroelectronics Serie SuperMESH™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 490nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 450W (Tc) Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket MAX247™ Paket / Fall TO-247-3 |
