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TPCF8201(TE85L Datenblatt

TPCF8201(TE85L Datenblatt
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Toshiba Semiconductor and Storage
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: TPCF8201(TE85L,F,M
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TPCF8201(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

590pF @ 10V

Leistung - max

330mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

VS-8 (2.9x1.5)