VS-GA100TS60SF Datenblatt
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ PT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Leistung - max 780W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.28V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 16.25nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-Pak Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ PT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 220A Leistung - max 780W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.28V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 16.25nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-Pak Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
