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VS-GB400TH120U Datenblatt

VS-GB400TH120U Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GB400TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

660A

Leistung - max

2660W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

33.7nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Double INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

Double INT-A-PAK