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VS-GP400TD60S Datenblatt

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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-GP400TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

PT, Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

758A

Leistung - max

1563W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.52V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Dual INT-A-PAK (3 + 8)

Lieferantengerätepaket

Dual INT-A-PAK