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VSSB410S-E3/5BT Datenblatt

VSSB410S-E3/5BT Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: VSSB410S-E3/5BT, VSSB410S-E3/52T
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VSSB410S-E3/5BT Datenblatt Seite 4
VSSB410S-E3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1.9A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

770mV @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.5µA @ 70V

Kapazität @ Vr, F.

230pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

VSSB410S-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1.9A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

770mV @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

230pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C