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ZXMC4A16DN8TA Datenblatt

ZXMC4A16DN8TA Datenblatt
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Diodes Incorporated
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: ZXMC4A16DN8TA, ZXMC4A16DN8TC
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ZXMC4A16DN8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Ta), 4.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 40V, 1000pF @ 20V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

ZXMC4A16DN8TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Ta), 4.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

770pF @ 40V, 1000pF @ 20V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO