10502
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| Teilenummer | 10502 |
| PNEDA Teilenummer | 10502 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 65V 55SM |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.686 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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10502 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 10502 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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10502 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 8.5dB |
| Leistung - max | 1458W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Betriebstemperatur | 230°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55SM |
| Lieferantengerätepaket | 55SM |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.3V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2GHz Gewinn 19dB Leistung - max 115mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 836MHz Gewinn 11.6dB Leistung - max 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.2A Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-SOIC-EP |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
