10A060
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| Teilenummer | 10A060 |
| PNEDA Teilenummer | 10A060 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 24V 1GHZ 55FT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.222 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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10A060 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 10A060 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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10A060 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 24V |
| Frequenz - Übergang | 1GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 8dB ~ 8.5dB |
| Leistung - max | 21W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 400mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Stud Mount |
| Paket / Fall | 55FT |
| Lieferantengerätepaket | 55FT |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.15dB @ 1.8GHz Gewinn 17.5dB Leistung - max 60mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3-1 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 5 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-VFQFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 16-QFN (3x3) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 11dB ~ 13dB Leistung - max 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Power Macro Lieferantengerätepaket Power Macro |
