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1214-150L

1214-150L

Nur als Referenz

Teilenummer 1214-150L
PNEDA Teilenummer 1214-150L
Beschreibung RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.096
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1214-150L Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1214-150L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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1214-150L Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang1.2GHz ~ 1.4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7.15dB ~ 8.7dB
Leistung - max320W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 1A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55ST-1
Lieferantengerätepaket55ST-1

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

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-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

MRF581AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

Gewinn

13dB ~ 15.5dB

Leistung - max

1.25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Macro-X

SD1143-01

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

20W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M113

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9.2V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

23dB

Leistung - max

1.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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