15GN03CA-TB-E
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| Teilenummer | 15GN03CA-TB-E |
| PNEDA Teilenummer | 15GN03CA-TB-E |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 24.696 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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15GN03CA-TB-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 15GN03CA-TB-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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15GN03CA-TB-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 1.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.6dB @ 0.4GHz |
| Gewinn | 13dB @ 0.4GHz |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | 3-CP |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB ~ 11dB Leistung - max 50W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55FW Lieferantengerätepaket 55FW |
Hersteller M/A-Com Technology Solutions Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.5dB Leistung - max 20W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.4A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.6dB ~ 8.5dB Leistung - max 250W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55FW-1 Lieferantengerätepaket 55FW-1 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn 10dB ~ 29dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz Gewinn 11dB ~ 13dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 2.7V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
