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1N4003GL-T

1N4003GL-T

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4003GL-T
PNEDA Teilenummer 1N4003GL-T
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.190
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Voraussichtliche Lieferung Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N4003GL-T Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4003GL-T
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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1N4003GL-T Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.8pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AL, DO-41, Axial
LieferantengerätepaketDO-41
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SOD-64, Axial

Lieferantengerätepaket

SOD-64

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

DA3S101A0L

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

100mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

3ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

1.2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3-B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

STTH810G

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

S3GHM6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SBRT25U60SLP-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

TrenchSBR

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

25A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 25A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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