1N4448WS-HE3-18
Nur als Referenz
| Teilenummer | 1N4448WS-HE3-18 |
| PNEDA Teilenummer | 1N4448WS-HE3-18 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N4448WS-HE3-18 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N4448WS-HE3-18 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N4448WS-HE3-18 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 75V |
| Current - Average Rectified (Io) | 150mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 5mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 75V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-76, SOD-323 |
| Lieferantengerätepaket | SOD-323 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall T-18, Axial Lieferantengerätepaket TS-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 1A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 570mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 77pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-90, SOD-323F Lieferantengerätepaket SOD-323F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 690mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 90V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
