1N5622C.TR
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| Teilenummer | 1N5622C.TR |
| PNEDA Teilenummer | 1N5622C-TR |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL |
| Hersteller | Semtech |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.850 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N5622C.TR Ressourcen
| Marke | Semtech |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N5622C.TR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N5622C.TR Technische Daten
| Hersteller | Semtech Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Avalanche |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500nA @ 1000V |
| Kapazität @ Vr, F. | 23pF @ 5V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | Axial |
| Lieferantengerätepaket | Axial |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 100A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-67 Lieferantengerätepaket D-67 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
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