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1N5822G

1N5822G

Nur als Referenz

Teilenummer 1N5822G
PNEDA Teilenummer 1N5822G
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 14.592
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N5822G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N5822G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1N5822G, 1N5822G Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 183,9 KB)
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1N5822G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If525mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr2mA @ 40V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-201AA, DO-27, Axial
LieferantengerätepaketDO-201AD
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 125°C

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1800V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 30A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 1800V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 400V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

1N1192A

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

BYD33DGP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

MBRS130LT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

445mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

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