1N6478-E3/97
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| Teilenummer | 1N6478-E3/97 |
| PNEDA Teilenummer | 1N6478-E3-97 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.582 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N6478-E3/97 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N6478-E3/97 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N6478-E3/97 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Lieferantengerätepaket | DO-213AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.8µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 6pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-220AA Lieferantengerätepaket DO-220AA (SMP) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 50A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 50A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 800ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10mA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall POW-R-BLOK™ Module Lieferantengerätepaket POW-R-BLOK™ Module Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 7µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 25nA @ 175V Kapazität @ Vr, F. 6pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AH, DO-35, Axial Lieferantengerätepaket DO-35 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 3.3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 620mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2mA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall C-16, Axial Lieferantengerätepaket C-16 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
