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1SD418F2-CM1200HB-66H

1SD418F2-CM1200HB-66H

Nur als Referenz

Teilenummer 1SD418F2-CM1200HB-66H
PNEDA Teilenummer 1SD418F2-CM1200HB-66H
Beschreibung MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
Hersteller Power Integrations
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1SD418F2-CM1200HB-66H Ressourcen

Marke Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1SD418F2-CM1200HB-66H
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
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1SD418F2-CM1200HB-66H Technische Daten

HerstellerPower Integrations
SerieSCALE™-1
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung14.5V ~ 15.5V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
Eingabetyp-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)100ns, 100ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.7V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.9A, 2.3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

14-SOIC

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Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

3.3V ~ 5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

LT8672EDDB#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

3V ~ 42V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-DFN (3x2)

TCK401G,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 28V

Logikspannung - VIL, VIH

0.4V, 1.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

0.2ms, 1.5µs

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UFBGA, WLCSP

Lieferantengerätepaket

6-WCSPE (0.80x1.2)

CHL8550CRT

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 1V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

35V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 8ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-VFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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