2001
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2001 |
| PNEDA Teilenummer | 2001 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.082 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2001 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2001 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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2001 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Frequenz - Übergang | 2GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 9.5dB |
| Leistung - max | 5W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 250mA |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55BT |
| Lieferantengerätepaket | 55BT |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB Leistung - max 70W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall M135 Lieferantengerätepaket M135 |
