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2EDN8523FXTMA1

2EDN8523FXTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer 2EDN8523FXTMA1
PNEDA Teilenummer 2EDN8523FXTMA1
Beschreibung IC GATE DRVR 8DSO
Hersteller Infineon Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2EDN8523FXTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2EDN8523FXTMA1
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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2EDN8523FXTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieEiceDriver™
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH1.2V, 1.9V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)5A, 5A
EingabetypInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)5.3ns, 4.5ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
LieferantengerätepaketPG-DSO-8

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q100

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

5A, 5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12ns, 9ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MCP14E8-E/MF

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-DFN-S (6x5)

ISL6208CB

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.5V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

33V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 8ns

Betriebstemperatur

-10°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

LM5101SD/NOPB

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

9V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.6A, 1.6A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

118V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

600ns, 600ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-WSON (4x4)

DGD2106MS8-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.6V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

290mA, 600mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

100ns, 35ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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