2N2369A
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| Teilenummer | 2N2369A |
| PNEDA Teilenummer | 2N2369A_1A9 |
| Beschreibung | DIE TRANS NPN MED PWR HS SWITCH |
| Hersteller | MICROSS/On Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.470 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 29 - Jul 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2N2369A Ressourcen
| Marke | MICROSS/On Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N2369A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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2N2369A Technische Daten
| Hersteller | MICROSS/On Semiconductor |
| Serie | * |
| Transistortyp | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Leistung - max | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/255 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Leistung - max 650mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket UB |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 175V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 10V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket 3-SMD |
