Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

2N4339-E3

2N4339-E3

Nur als Referenz

Teilenummer 2N4339-E3
PNEDA Teilenummer 2N4339-E3
Beschreibung MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.814
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N4339-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N4339-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
2N4339-E3, 2N4339-E3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 75,44 KB)
PDF2N4339-E3 Datenblatt Cover
2N4339-E3 Datenblatt Seite 2 2N4339-E3 Datenblatt Seite 3 2N4339-E3 Datenblatt Seite 4 2N4339-E3 Datenblatt Seite 5 2N4339-E3 Datenblatt Seite 6 2N4339-E3 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • 2N4339-E3 Datasheet
  • where to find 2N4339-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix 2N4339-E3
  • 2N4339-E3 PDF Datasheet
  • 2N4339-E3 Stock

  • 2N4339-E3 Pinout
  • Datasheet 2N4339-E3
  • 2N4339-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • 2N4339-E3 Price
  • 2N4339-E3 Distributor

2N4339-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)50V
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)500µA @ 15V
Stromaufnahme (Id) - max-
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id600mV @ 100nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7pF @ 15V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-206AA (TO-18)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

2N5457_D26Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

625mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BF246B

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

*

FET-Typ

-

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

J176,126

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

1V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8pF @ 10V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

250 Ohms

Leistung - max

400mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92

CP210-2N4416-CT20

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

6V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

2N4391

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

4V @ 1nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 20V

Widerstand - RDS (Ein)

30 Ohms

Leistung - max

1.8W

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Kürzlich verkauft

PIC16HV753-I/P

PIC16HV753-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 14DIP

STM8AL3LE88TCY

STM8AL3LE88TCY

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 48LQFP

TAJD336K035RNJ

TAJD336K035RNJ

CAP TANT 33UF 10% 35V 2917

M74VHC1G125DFT2G

M74VHC1G125DFT2G

ON Semiconductor

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SC88A

JANTX2N4092

JANTX2N4092

Microsemi

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

MP5505AGL-Z

MP5505AGL-Z

Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BOOST 7V 4A

STM32F103RCT6

STM32F103RCT6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 64LQFP

TZB4R500AB10R00

TZB4R500AB10R00

Murata

CAP TRIMMER 7-50PF 50V SMD

MC33174DR2G

MC33174DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

LTC2870IFE#PBF

LTC2870IFE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28TSSOP

BAS516,115

BAS516,115

Nexperia

DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523

3296W-1-103LF

3296W-1-103LF

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.5W PC PIN TOP