2N4957UB
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| Teilenummer | 2N4957UB |
| PNEDA Teilenummer | 2N4957UB |
| Beschreibung | RF TRANS PNP 30V 30MA UB |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.326 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N4957UB Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N4957UB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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2N4957UB Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
| Gewinn | 25dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | UB |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 35V Frequenz - Übergang 136MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 4.5dB Leistung - max 117W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Betriebstemperatur 200°C Montagetyp Stud Mount Paket / Fall M130 Lieferantengerätepaket M130 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 19dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket PG-SOT323-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn - Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.6dB Leistung - max 960W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-439A Lieferantengerätepaket CDFM2 |
Hersteller Serie - Transistortyp 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.25dB @ 1kHz Gewinn - Leistung - max 750mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
