2N6027RL1G
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| Teilenummer | 2N6027RL1G |
| PNEDA Teilenummer | 2N6027RL1G |
| Beschreibung | THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.066 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 8 - Mai 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2N6027RL1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N6027RL1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Programmierbare Unijunction |
| Datenblatt |
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2N6027RL1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Spannung | 40V |
| Verlustleistung (max.) | 300mW |
| Spannung - Ausgang | 11V |
| Spannung - Offset (Vt) | 1.6V |
| Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao) | 10nA |
| Current - Valley (Iv) | 50µA |
| Strom - Spitze | 2µA |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Spannung 40V Verlustleistung (max.) 300mW Spannung - Ausgang 11V Spannung - Offset (Vt) 1.6V Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao) 10nA Current - Valley (Iv) 50µA Strom - Spitze 2µA Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Spannung 40V Verlustleistung (max.) 300mW Spannung - Ausgang 11V Spannung - Offset (Vt) 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao) 10nA Current - Valley (Iv) 25µA Strom - Spitze 150nA Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Spannung 40V Verlustleistung (max.) 300mW Spannung - Ausgang 11V Spannung - Offset (Vt) 600mV Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao) 10nA Current - Valley (Iv) 25µA Strom - Spitze 150nA Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Spannung - Verlustleistung (max.) 300mW Spannung - Ausgang 3V Spannung - Offset (Vt) - Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao) - Current - Valley (Iv) 2mA Strom - Spitze 2µA Paket / Fall TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
