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2N7002LT1H

2N7002LT1H

Nur als Referenz

Teilenummer 2N7002LT1H
PNEDA Teilenummer 2N7002LT1H
Beschreibung MOSFET N-CH 60V SOT-23
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.348
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2N7002LT1H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N7002LT1H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
2N7002LT1H, 2N7002LT1H Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 263,62 KB)
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2N7002LT1H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.115mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)225mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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RCJ200N20TL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.56W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LPTS

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ZVN4424GTC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

240V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±40V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

FQP2N60C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

HUFA76413P3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

645pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

MCH3474-TL-W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-70FL/MCPH3

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Kürzlich verkauft

CRM2512-JW-103ELF

CRM2512-JW-103ELF

Bourns

RES SMD 10K OHM 5% 2W 2512

CRCW020110K0JNED

CRCW020110K0JNED

Vishay Dale

RES SMD 10K OHM 5% 1/20W 0201

4608X-102-152LF

4608X-102-152LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 1.5K OHM 8SIP

4608X-101-102LF

4608X-101-102LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 1K OHM 8SIP

4608X-102-103LF

4608X-102-103LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 10K OHM 8SIP

EVN-D8AA03B54

EVN-D8AA03B54

Panasonic Electronic Components

TRIMMER 50K OHM 0.1W PC PIN TOP

3314G-1-103E

3314G-1-103E

Bourns

TRIMMER 10K OHM 0.25W GW TOP ADJ

IHLP4040DZERR56M11

IHLP4040DZERR56M11

Vishay Dale

FIXED IND 560NH 32A 1.8 MOHM SMD

CSTCE12M0G55-R0

CSTCE12M0G55-R0

Murata

CER RES 12.0000MHZ 33PF SMD

DSC6001CI2A-016.0000

DSC6001CI2A-016.0000

Microchip Technology

MEMS OSC XO 16.0000MHZ CMOS SMD

GRM155R61H474KE11D

GRM155R61H474KE11D

Murata

CAP CER 0.47UF 50V X5R 0402

TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917