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2N7002VAC-7

2N7002VAC-7

Nur als Referenz

Teilenummer 2N7002VAC-7
PNEDA Teilenummer 2N7002VAC-7
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 5.832
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N7002VAC-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N7002VAC-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
2N7002VAC-7, 2N7002VAC-7 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 138,19 KB)
PDF2N7002VAC-7 Datenblatt Cover
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2N7002VAC-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.280mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
Leistung - max150mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-563, SOT-666
LieferantengerätepaketSOT-563

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 7.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

64A, 145A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1314pF @ 13V

Leistung - max

31W, 50W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

630mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.23nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

46pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

250mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 10V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

150°C

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Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

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24A, 28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1830pF @ 15V

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