2SB315B-2MBI1200U4G-170
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| Teilenummer | 2SB315B-2MBI1200U4G-170 |
| PNEDA Teilenummer | 2SB315B-2MBI1200U4G-170 |
| Beschreibung | MOD GATE DVR 2MBI1200U4G-170 |
| Hersteller | Power Integrations |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.052 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SB315B-2MBI1200U4G-170 Ressourcen
| Marke | Power Integrations |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SB315B-2MBI1200U4G-170 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
2SB315B-2MBI1200U4G-170, 2SB315B-2MBI1200U4G-170 Datenblatt
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2SB315B-2MBI1200U4G-170 Technische Daten
| Hersteller | Power Integrations |
| Serie | SCALE™-1 |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 0V ~ 16V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | - |
| Eingabetyp | - |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.9A, 2.3A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 40ns, 20ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads Lieferantengerätepaket 16-MLPQ (4x4) |
