2SC3646S-P-TD-E
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SC3646S-P-TD-E |
| PNEDA Teilenummer | 2SC3646S-P-TD-E |
| Beschreibung | TRANS NPN 100V 1A |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.454 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 8 - Mai 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SC3646S-P-TD-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC3646S-P-TD-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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2SC3646S-P-TD-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 100V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 40mA, 400mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 5V |
| Leistung - max | 500mW |
| Frequenz - Übergang | 120MHz |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | PCP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 600 @ 10mA, 5V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
