2SC5606-T1-A
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| Teilenummer | 2SC5606-T1-A |
| PNEDA Teilenummer | 2SC5606-T1-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.418 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SC5606-T1-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC5606-T1-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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2SC5606-T1-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 3.3V |
| Frequenz - Übergang | 21GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 2GHz |
| Gewinn | 14dB |
| Leistung - max | 115mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-523 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-523 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 8V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket 6-TSSOP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.6V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 25.5dB Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket TSLP-3-10 |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz Gewinn 14dB ~ 16dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 2.7V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
