2SD1805G-E
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| Teilenummer | 2SD1805G-E |
| PNEDA Teilenummer | 2SD1805G-E |
| Beschreibung | TRANS NPN 20V 5A TP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 21.072 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 4 - Mai 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SD1805G-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SD1805G-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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2SD1805G-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 20V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 60mA, 3A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 280 @ 500mA, 2V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | 120MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Lieferantengerätepaket | TP |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 2A, 2V Leistung - max 6W Frequenz - Übergang 30MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 |
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