2SD2670TL
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| Teilenummer | 2SD2670TL |
| PNEDA Teilenummer | 2SD2670TL |
| Beschreibung | TRANS NPN 12V 3A TSMT3 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.902 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SD2670TL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SD2670TL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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2SD2670TL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 30mA, 1.5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 270 @ 500mA, 2V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | 360MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-96 |
| Lieferantengerätepaket | TSMT3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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