2SK33720TL
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SK33720TL | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2SK33720TL | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Panasonic Electronic Components | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 106.814 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 6 - Mai 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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2SK33720TL Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK33720TL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
| Datenblatt |
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2SK33720TL Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 107µA @ 2V |
| Stromaufnahme (Id) - max | 2mA |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 100mW |
| Betriebstemperatur | -20°C ~ 80°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-723 |
| Lieferantengerätepaket | SSSMini3-F1 |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 30V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 5V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 15V Widerstand - RDS (Ein) 150 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 40V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 15mA @ 20V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 2V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 20V Widerstand - RDS (Ein) 50 Ohms Leistung - max 625mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
