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2SK3377-Z-E1-AZ

2SK3377-Z-E1-AZ

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK3377-Z-E1-AZ
PNEDA Teilenummer 2SK3377-Z-E1-AZ
Beschreibung TRANSISTOR
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis
1 ---------- $0,2579
500 ---------- $0,2458
1.000 ---------- $0,2337
2.500 ---------- $0,2217
5.000 ---------- $0,2116
10.000 ---------- $0,2015
Auf Lager 22.427
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2SK3377-Z-E1-AZ Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK3377-Z-E1-AZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
2SK3377-Z-E1-AZ, 2SK3377-Z-E1-AZ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 264,44 KB)
PDF2SK3377-Z-E2-AZ Datenblatt Cover
2SK3377-Z-E2-AZ Datenblatt Seite 2 2SK3377-Z-E2-AZ Datenblatt Seite 3 2SK3377-Z-E2-AZ Datenblatt Seite 4 2SK3377-Z-E2-AZ Datenblatt Seite 5 2SK3377-Z-E2-AZ Datenblatt Seite 6 2SK3377-Z-E2-AZ Datenblatt Seite 7 2SK3377-Z-E2-AZ Datenblatt Seite 8 2SK3377-Z-E2-AZ Datenblatt Seite 9 2SK3377-Z-E2-AZ Datenblatt Seite 10

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  • 2SK3377-Z-E1-AZ Distributor

2SK3377-Z-E1-AZ Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

64A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9930pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264AA (IXFK)

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

NTP6412ANG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

58A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.2mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

167W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

IRF614STRRPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STP8NM60

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

SIHU5N50D-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-251AA

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

3224W-1-101E

3224W-1-101E

Bourns

TRIMMER 100 OHM 0.25W J LEAD TOP

0466005.NRHF

0466005.NRHF

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 5A 32VAC/VDC 1206

ADA4805-2ARMZ-R7

ADA4805-2ARMZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

LE75181BBSC

LE75181BBSC

Microchip Technology

IC LINE CARD LCAS 1CH 16SOIC

MAX8216ESD+

MAX8216ESD+

Maxim Integrated

IC MONITOR VOLT MPU 14-SOIC

TL072ID

TL072ID

STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO

0251007.NRT1L

0251007.NRT1L

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC AXIAL

TAJA226K010RNJ

TAJA226K010RNJ

CAP TANT 22UF 10% 10V 1206

M24M01-RMN6P

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STMicroelectronics

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SO

IS43TR16128CL-125KBLI

IS43TR16128CL-125KBLI

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

CM453232-1R5KL

CM453232-1R5KL

Bourns

FIXED IND 1.5UH 410MA 600 MOHM

STM32L433CCU6

STM32L433CCU6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48QFPN