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2SK4066-1E

2SK4066-1E

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK4066-1E
PNEDA Teilenummer 2SK4066-1E
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 100A
Hersteller ON Semiconductor
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2SK4066-1E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK4066-1E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
2SK4066-1E, 2SK4066-1E Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 373,99 KB)
PDF2SK4066-DL-1EX Datenblatt Cover
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2SK4066-1E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs220nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds12500pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.65W (Ta), 90W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-262-3
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 16µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

47W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STP32NM50N

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1973pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

190W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220

Paket / Fall

TO-220-3

BS170ZL1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

IPB80N03S4L02ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9750pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta), 71A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2474pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 105W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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