4N30
Nur als Referenz
| Teilenummer | 4N30 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 4N30_6B | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 120 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 15 - Mai 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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4N30 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 4N30 |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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4N30 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 5300Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 100% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 40µs (Max) |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Darlington with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 30V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 150mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 80mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 1V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 6-DIP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 2500Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 20% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) - Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 4µs, 4µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 3µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 30V Strom - Ausgang / Kanal 150mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.07V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 60mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
