6N135SD
Nur als Referenz
| Teilenummer | 6N135SD |
| PNEDA Teilenummer | 6N135SD |
| Beschreibung | OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SMD |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 28.529 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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6N135SD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 6N135SD |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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6N135SD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 2500Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 7% @ 16mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | 50% @ 16mA |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 450ns, 500ns |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 20V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 8mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.45V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 25mA |
| Vce-Sättigung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | 8-SMD |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 350V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 110°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads Lieferantengerätepaket 6-SO, 4 Lead |
Hersteller Lumex Opto/Components Inc. Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 60% @ 2mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 2mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 5µs, 4µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor with Base Spannung - Ausgang (max.) 60V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -30°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 6-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 6-DIP |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 4 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 500µA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 500µA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.25V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 300mV Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SO |
