70T651S10BFI
Nur als Referenz
| Teilenummer | 70T651S10BFI |
| PNEDA Teilenummer | 70T651S10BFI |
| Beschreibung | IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA |
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.928 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
70T651S10BFI Ressourcen
| Marke | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | 70T651S10BFI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- 70T651S10BFI Datasheet
- where to find 70T651S10BFI
- IDT, Integrated Device Technology
- IDT, Integrated Device Technology 70T651S10BFI
- 70T651S10BFI PDF Datasheet
- 70T651S10BFI Stock
- 70T651S10BFI Pinout
- Datasheet 70T651S10BFI
- 70T651S10BFI Supplier
- IDT, Integrated Device Technology Distributor
- 70T651S10BFI Price
- 70T651S10BFI Distributor
70T651S10BFI Technische Daten
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Speichergröße | 9Mb (256K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffszeit | 10ns |
| Spannung - Versorgung | 2.4V ~ 2.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 208-LFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 208-CABGA (15x15) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Everspin Technologies Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat RAM Technologie MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-LFBGA Lieferantengerätepaket 48-FBGA (8x8) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR4 Speichergröße 32Gb (512M x 64) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 1333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.2V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O, QPI, DTR Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 800µs Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.65V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 32-SOIC |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EPROM Technologie EPROM - UV Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window Lieferantengerätepaket 28-CDIP Frit Seal with Window |
