70V3579S6BCI
Nur als Referenz
| Teilenummer | 70V3579S6BCI |
| PNEDA Teilenummer | 70V3579S6BCI |
| Beschreibung | IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA |
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.762 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 30 - Mai 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
70V3579S6BCI Ressourcen
| Marke | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | 70V3579S6BCI |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- 70V3579S6BCI Datasheet
- where to find 70V3579S6BCI
- IDT, Integrated Device Technology
- IDT, Integrated Device Technology 70V3579S6BCI
- 70V3579S6BCI PDF Datasheet
- 70V3579S6BCI Stock
- 70V3579S6BCI Pinout
- Datasheet 70V3579S6BCI
- 70V3579S6BCI Supplier
- IDT, Integrated Device Technology Distributor
- 70V3579S6BCI Price
- 70V3579S6BCI Distributor
70V3579S6BCI Technische Daten
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Speichergröße | 1.125Mb (32K x 36) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 6ns |
| Spannung - Versorgung | 3.15V ~ 3.45V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 256-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 256-CABGA (17x17) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 128Kb (16K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Winbond Electronics Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 134-VFBGA Lieferantengerätepaket 134-VFBGA (10x11.5) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-UFDFPN (2x3) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 6.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 4.5Mb (128K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
