70V631S10BCG8
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| Teilenummer | 70V631S10BCG8 |
| PNEDA Teilenummer | 70V631S10BCG8 |
| Beschreibung | IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA |
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.210 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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70V631S10BCG8 Ressourcen
| Marke | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 70V631S10BCG8 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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70V631S10BCG8 Technische Daten
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Speichergröße | 4.5Mb (256K x 18) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
| Zugriffszeit | 10ns |
| Spannung - Versorgung | 3.15V ~ 3.45V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 256-LBGA |
| Lieferantengerätepaket | 256-CABGA (17x17) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 128Gb (16G x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-TBGA Lieferantengerätepaket 100-TBGA (12x18) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
