AIHD10N60RATMA1
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| Teilenummer | AIHD10N60RATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | AIHD10N60RATMA1 |
| Beschreibung | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.654 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 14 - Mai 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AIHD10N60RATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AIHD10N60RATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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AIHD10N60RATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 30A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | 210µJ (on), 380µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 64nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 14ns/192ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3-313 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A Leistung - max 60W Schaltenergie 450µJ (on), 440µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/93ns Testbedingung 960V, 5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 20A Leistung - max 348W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 208nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 882W Schaltenergie 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/475ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 39A Leistung - max 200W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.25V @ 4V, 6A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 900ns/4.8µs Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
