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ALD1101PAL

ALD1101PAL

Nur als Referenz

Teilenummer ALD1101PAL
PNEDA Teilenummer ALD1101PAL
Beschreibung MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Hersteller Advanced Linear Devices Inc.
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ALD1101PAL Ressourcen

Marke Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerALD1101PAL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ALD1101PAL, ALD1101PAL Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 76,75 KB)
PDFALD1101APAL Datenblatt Cover
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ALD1101PAL Technische Daten

HerstellerAdvanced Linear Devices Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)10.6V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs75Ohm @ 5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max500mW
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-PDIP

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.1nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

8-SOP (5.0x6.0)

BSD223P L6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

390mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 390mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1.5µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.62nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

56pF @ 15V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

SSM6P40TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

TSM6502CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc), 18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1159pF @ 30V, 930pF @ 30V

Leistung - max

40W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-PDFN (5x6)

BSL306NH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 11µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

275pF @ 15V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PG-TSOP-6-6

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